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STH270N8F7-2
MOSFET, N-CH, 80V, 180A, 175DEG C, 315W
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH270N8F7-2
Code Commande26AH0177
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,030 $ |
| 10+ | 7,510 $ |
| 25+ | 7,000 $ |
| 50+ | 6,470 $ |
| 100+ | 5,950 $ |
| 250+ | 5,930 $ |
| 500+ | 5,900 $ |
| 1000+ | 5,520 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
10,03 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH270N8F7-2
Code Commande26AH0177
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation315W
Power Dissipation Pd315W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
315W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits