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STHU65N050DM9AG
MOSFET, N-CH, 650V, 51A, HU3PAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTHU65N050DM9AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AM8859RL
Bandes découpées26AM8859
Votre numéro de pièce
299 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 14,110 $ | 14,11 $ |
| Total Prix | 14,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,110 $ |
| 50+ | 9,680 $ |
| 100+ | 7,300 $ |
| 250+ | 7,160 $ |
| 500+ | 7,000 $ |
| 1000+ | 6,860 $ |
| 2500+ | 6,720 $ |
| 5000+ | 6,570 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTHU65N050DM9AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AM8859RL
Bandes découpées26AM8859
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation245W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
245W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit