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STI47N60DM6AG
MOSFET, N-CH, 600V, 36A, I2PAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTI47N60DM6AG
Code Commande78AH2265
Gamme de produitMDmesh DM6
Fiche technique
61 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,890 $ |
| 10+ | 9,180 $ |
| 25+ | 8,370 $ |
| 50+ | 7,570 $ |
| 100+ | 6,760 $ |
| 250+ | 6,340 $ |
| 500+ | 5,930 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
11,89 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTI47N60DM6AG
Code Commande78AH2265
Gamme de produitMDmesh DM6
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleI2PAK
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM6
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
I2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM6
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits