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STL160N10F8
MOSFET, N-CH, 100V, 158A, POWERFLAT-8
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL160N10F8Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant7 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN1136RL
Bandes découpées06AN1136
Gamme de produitSTripFET F8 Series
Votre numéro de pièce
74 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 5,010 $ | 5,01 $ |
| Total Prix | 5,01 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,010 $ |
| 50+ | 3,300 $ |
| 100+ | 2,370 $ |
| 250+ | 2,180 $ |
| 500+ | 1,990 $ |
| 1000+ | 1,860 $ |
| 2500+ | 1,820 $ |
| 5000+ | 1,760 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL160N10F8Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant7 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN1136RL
Bandes découpées06AN1136
Gamme de produitSTripFET F8 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id158A
Drain Source On State Resistance0.0032ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation167W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F8 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
158A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F8 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit