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STN3P6F6
MOSFET, P-CH, -60V, -3A, SOT-223-4
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN3P6F6
Code Commande98Y2483
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,450 $ |
| 10+ | 1,150 $ |
| 25+ | 1,080 $ |
| 50+ | 0,996 $ |
| 100+ | 0,918 $ |
| 250+ | 0,852 $ |
| 500+ | 0,787 $ |
| 1000+ | 0,719 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,45 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN3P6F6
Code Commande98Y2483
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.6W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.6W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STN3P6F6
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits