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STP100N6F7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP100N6F7
Code Commande45AC7686
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
1 004 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,550 $ |
| 10+ | 2,690 $ |
| 100+ | 1,820 $ |
| 500+ | 1,560 $ |
| 1000+ | 1,480 $ |
| 3000+ | 1,410 $ |
| 5000+ | 1,370 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,55 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP100N6F7
Code Commande45AC7686
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0047ohm
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Applications
Medical
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0047ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits