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STP18N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N65M5
Code Commande45AC7704
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
58 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,800 $ |
| 10+ | 2,800 $ |
| 25+ | 2,800 $ |
| 50+ | 2,580 $ |
| 100+ | 2,580 $ |
| 250+ | 2,580 $ |
| 500+ | 2,580 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,80 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N65M5
Code Commande45AC7704
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.198ohm
Drain Source On State Resistance0.198ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.198ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.198ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit