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STP4N150.
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP4N150.
Code Commande24AC0033
Gamme de produitPowerMESH Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 4,370 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP4N150.
Code Commande24AC0033
Gamme de produitPowerMESH Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd160W
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangePowerMESH Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 1500V, 4A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin TO-220 package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Strengthened layout with edge termination
- Lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge, switching characteristics
- Suitable for switching applications
- Designed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
160W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH Series
Documents techniques (1)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit