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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP5NK100Z
Code Commande38K7927
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance3.7ohm
On Resistance Rds(on)3.7ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
3.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
3.7ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit