Imprimer la page
STP9NK70ZFP
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 4 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
586 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,450 $ |
| 10+ | 2,660 $ |
| 100+ | 2,650 $ |
| 500+ | 2,630 $ |
| 1000+ | 2,420 $ |
| 2500+ | 1,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,45 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP9NK70ZFP
Code Commande33R1295
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd35W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STP9NK70ZFP is a 700V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
35W
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
700V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits