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STQ2HNK60ZR-AP
MOSFET, N-CH, 600V, 0.5A, TO-92
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTQ2HNK60ZR-AP
Code Commande34AC1983
Gamme de produitSuperMESH
Fiche technique
518 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,480 $ |
| 10+ | 1,200 $ |
| 25+ | 1,040 $ |
| 50+ | 0,907 $ |
| 100+ | 0,768 $ |
| 250+ | 0,666 $ |
| 500+ | 0,529 $ |
| 1000+ | 0,498 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,40 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTQ2HNK60ZR-AP
Code Commande34AC1983
Gamme de produitSuperMESH
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance4.8ohm
On Resistance Rds(on)4.4ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperMESH
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4.8ohm
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperMESH
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
4.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits