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STQ2LN60K3-AP
MOSFET, N-CH, 600V, 0.6A, TO-92 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTQ2LN60K3-AP
Code Commande47AK7011
Gamme de produitMDmesh K3 Series
Fiche technique
3 595 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,210 $ |
| 10+ | 0,847 $ |
| 100+ | 0,586 $ |
| 500+ | 0,467 $ |
| 1000+ | 0,429 $ |
| 4000+ | 0,348 $ |
| 10000+ | 0,319 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,21 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTQ2LN60K3-AP
Code Commande47AK7011
Gamme de produitMDmesh K3 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id600mA
On Resistance Rds(on)4ohm
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K3 Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
4ohm
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K3 Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits