Imprimer la page
STS4DNF60L
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
79 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,550 $ |
| 10+ | 1,710 $ |
| 25+ | 1,670 $ |
| 50+ | 1,510 $ |
| 100+ | 1,340 $ |
| 250+ | 1,210 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,55 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTS4DNF60L
Code Commande26M3734
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour STS4DNF60L
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- STripFET™ power MOSFET suitable for switching applications
- Single feature size strip-based process
- Standard outline for easy automated surface mount assembly
- Low threshold drive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits