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761 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,870 $ |
| 10+ | 2,940 $ |
| 150+ | 2,010 $ |
| 525+ | 1,850 $ |
| 1050+ | 1,630 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,87 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTU11N65M2
Code Commande40Y2610
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd85W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
85W
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits