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STY112N65M5
Power MOSFET, N Channel, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 59,020 $ |
| 5+ | 54,940 $ |
| 10+ | 53,490 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
59,02 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTY112N65M5
Code Commande94T3554
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleMAX-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd625W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
MAX-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
625W
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits