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TQM150NB04CR RLG
MOSFET, N-CH, 40V, 41A, PDFN56 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,370 $ |
| 10+ | 1,120 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,911 $ |
| 100+ | 0,807 $ |
| 250+ | 0,743 $ |
| 500+ | 0,677 $ |
| 1000+ | 0,620 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,37 $
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM150NB04CR RLG
Code Commande59AJ2289
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id41A
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StylePDFN56U
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd56W
Power Dissipation56W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
56W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits