Imprimer la page
TQM2N7002CX RFG
MOSFET, N-CH, 60V, 380MA, SOT-23
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM2N7002CX RFGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande12AN0574
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,431 $ |
| 10+ | 0,335 $ |
| 25+ | 0,203 $ |
| 50+ | 0,166 $ |
| 100+ | 0,139 $ |
| 250+ | 0,112 $ |
| 500+ | 0,089 $ |
| 1000+ | 0,084 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,16 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM2N7002CX RFGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande12AN0574
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id380mA
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation806mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
380mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
806mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit