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TQM2N7002DCU6 RFG
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 260MA, SOT-363
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FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM2N7002DCU6 RFGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande12AN0575
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 0,373 $ |
| 20+ | 0,341 $ |
| 30+ | 0,309 $ |
| 50+ | 0,277 $ |
| 100+ | 0,246 $ |
| 250+ | 0,218 $ |
| 500+ | 0,190 $ |
| 1000+ | 0,186 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Multiple: 10
3,73 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM2N7002DCU6 RFGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande12AN0575
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel260mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel376mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
260mA
Drain Source On State Resistance N Channel
3ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
376mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit