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TSM250NH10DCR RLG
MOSFET, DUAL, N-CH, 100V, 31A, PDFN56U
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FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM250NH10DCR RLGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande12AN0625
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 2,140 $ |
| 20+ | 1,990 $ |
| 30+ | 1,830 $ |
| 50+ | 1,680 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 250+ | 1,400 $ |
| 500+ | 1,280 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Multiple: 10
21,40 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTSM250NH10DCR RLGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande12AN0625
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel31A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel54W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
31A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
54W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit