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XP231P02017R-G
MOSFET, P-CH, 0.2A, 30V, SOT-723 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantTOREX
Réf. FabricantXP231P02017R-G
Code Commande91AH9293
Gamme de produitXP231P0201xx-G
Fiche technique
6 040 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,434 $ |
| 10+ | 0,338 $ |
| 25+ | 0,206 $ |
| 50+ | 0,169 $ |
| 100+ | 0,142 $ |
| 250+ | 0,115 $ |
| 500+ | 0,092 $ |
| 1000+ | 0,086 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,17 $
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Informations produit
FabricantTOREX
Réf. FabricantXP231P02017R-G
Code Commande91AH9293
Gamme de produitXP231P0201xx-G
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.2ohm
On Resistance Rds(on)3.2ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP231P0201xx-G
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3.2ohm
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP231P0201xx-G
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
3.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits