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2SA1587-GR,LF(T
Bipolar Transistor Array, PNP, 120 V, 100 mA
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,026 $ |
| 10+ | 0,026 $ |
| 25+ | 0,026 $ |
| 50+ | 0,026 $ |
| 100+ | 0,026 $ |
| 250+ | 0,026 $ |
| 500+ | 0,026 $ |
| 1000+ | 0,026 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SA1587-GR,LF(T
Code Commande10AK1266
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max120V
Collector Emitter Voltage Max PNP120V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation200mW
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
DC Current Gain hFE Min200hFE
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
120V
Continuous Collector Current
100mA
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
Transistor Case Style
SOT-323
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
120V
Power Dissipation
200mW
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
Transition Frequency
100MHz
DC Current Gain hFE Min
200hFE
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits