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Quantité | Prix |
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50+ | 0,166 $ |
100+ | 0,166 $ |
250+ | 0,166 $ |
500+ | 0,166 $ |
1000+ | 0,166 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SK209-Y(TE85L,F)
Code Commande10AK1279
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr50V
Gate Source Breakdown Voltage Max50V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min1.2mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max14mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleTO-236
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max125°C
Transistor TypeMOSFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
1.2mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
MOSFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Gate Source Breakdown Voltage Max
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
14mA
Transistor Case Style
TO-236
Operating Temperature Max
125°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit