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2SK3075(TE12L,Q)
RF FET Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
755 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,940 $ |
| 10+ | 7,510 $ |
| 25+ | 7,040 $ |
| 50+ | 6,550 $ |
| 100+ | 6,080 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
8,94 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SK3075(TE12L,Q)
Code Commande08AK8211
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
Power Dissipation20W
Power Dissipation Pd20W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max520MHz
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins4Pins
RF Transistor CaseSMD
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
30V
Power Dissipation
20W
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
RF Transistor Case
SMD
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
5A
Power Dissipation Pd
20W
Operating Frequency Max
520MHz
No. of Pins
4Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour 2SK3075(TE12L,Q)
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits