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RFM04U6P(TE12L,F)
RF FET Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,150 $ |
| 10+ | 3,160 $ |
| 25+ | 2,920 $ |
| 50+ | 2,690 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 250+ | 2,300 $ |
| 500+ | 2,160 $ |
| 1000+ | 1,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,15 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantRFM04U6P(TE12L,F)
Code Commande09AK7231
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds16V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation7W
Operating Frequency Min-
Power Dissipation Pd7W
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins3Pins
RF Transistor CaseSMD
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
16V
Power Dissipation
7W
Power Dissipation Pd
7W
Transistor Case Style
SMD
RF Transistor Case
SMD
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit