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SSM3K15ACTC,L3F(T
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 0.1A, CST-C
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K15ACTC,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3032RL
Bandes découpées03AM3032
Gamme de produitU-MOSIII Series
Votre numéro de pièce
7 948 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,460 $ | 2,30 $ |
| Total Prix | 2,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,460 $ |
| 50+ | 0,358 $ |
| 100+ | 0,220 $ |
| 250+ | 0,179 $ |
| 500+ | 0,152 $ |
| 1000+ | 0,124 $ |
| 2500+ | 0,098 $ |
| 5000+ | 0,092 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K15ACTC,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3032RL
Bandes découpées03AM3032
Gamme de produitU-MOSIII Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance3.6ohm
Transistor Case StyleCST-C
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSIII Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
CST-C
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSIII Series
SVHC
To Be Advised
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit