Imprimer la page
SSM6K406TU,LF(T
MOSFET, N-CH, 30V, 4.4A, UF6
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6K406TU,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97AK7969
Gamme de produitU-MOSIV Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,689 $ |
| 10+ | 0,563 $ |
| 25+ | 0,497 $ |
| 50+ | 0,443 $ |
| 100+ | 0,380 $ |
| 250+ | 0,334 $ |
| 500+ | 0,264 $ |
| 1000+ | 0,254 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,44 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6K406TU,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97AK7969
Gamme de produitU-MOSIV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-363F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation500mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSIV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-363F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
U-MOSIV Series
SVHC
To Be Advised
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit