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TBD62781AFWG(Z,EHZ
DMOS Transistor Array, 8 Output, -500 mA/50V Out, 2V to 50V Supply, -40 to 85°C, PSOP-18
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
211 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,810 $ |
| 10+ | 4,340 $ |
| 25+ | 3,990 $ |
| 50+ | 3,660 $ |
| 100+ | 3,280 $ |
| 250+ | 2,940 $ |
| 500+ | 2,740 $ |
| 1000+ | 2,650 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,81 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTBD62781AFWG(Z,EHZ
Code Commande74AK2936
Fiche technique
Supply Voltage Min2V
Supply Voltage Max50V
No. of Outputs8Outputs
Output Voltage50V
Output Current-500mA
Driver Case StylePSOP
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
TBD62781AFWG(Z,EHZ is a TBD62781A series BiCD silicon monolithic integrated circuit. A pull-down resistor is built in the output part.
- 8-ch source type DMOS transistor array
- High output voltage is 50V (max, Ta = 25°C), large output current is -500mA (max, per 1 ch, Ta=25°C)
- Input voltage range from 2.0 to 25V (output on, IOUT = -100mA or more, VDS = 2.0V, Ta = -40 to 85°C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VCC = 50V, VIN = 0V, Ta = 85°C)
- Current consumption is 1.5mA (max, output OPEN, VIN = 2.0V, VCC = 50V)
- Turn on delay is 0.4μs (typ, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)
- Turn off delay is 2.0μs (typ, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)
- P-SOP18-0812-1.27-001 package, operating temperature range from -40 to 85°C
Remarques
Please be careful about thermal conditions during use.
Spécifications techniques
Supply Voltage Min
2V
No. of Outputs
8Outputs
Output Current
-500mA
Product Range
-
Supply Voltage Max
50V
Output Voltage
50V
Driver Case Style
PSOP
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits