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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 5,010 $ |
10+ | 4,510 $ |
25+ | 4,160 $ |
50+ | 3,800 $ |
100+ | 3,420 $ |
250+ | 3,050 $ |
500+ | 2,850 $ |
1000+ | 2,740 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,01 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTBD62785AFWG(Z,EHZ
Code Commande74AK2941
Fiche technique
Supply Voltage Min4.5V
Supply Voltage Max50V
No. of Outputs8Outputs
Output Voltage50V
Output Current-500mA
Driver Case StylePSOP
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
TBD62785AFWG(Z,EHZ is a TBD62785A series BiCD silicon monolithic integrated circuit. It has a clamp diode for switching inductive loads built-in each output.
- 8-ch low active source type DMOS transistor array
- High output voltage is 50V (max, Ta = 25°C), large output current is -500mA ( 1 ch, Ta=25°C)
- Input voltage range from 0 to VCC-3.5V (Ta = -40 to 85°C, IOUT = -100mA or more, VDS=2V)
- Clamp diode forward current is 400mA (max, Ta = -40 to 85°C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VCC = 5.5V, VIN = VCC, Ta = 85°C)
- Current consumption is 4.0mA (max, VCC = 5.5V, VIN = 0V, Output OPEN, per 1 ch)
- Clamp diode forward voltage is 2.0V (max, IF = 350mA, Ta = 25°C)
- Turn on delay is 0.2μs (typ, VCC = 5.5V, RL = 16ohm, CL = 15pF)
- Turn off delay is 1.3μs (typ, VCC = 5.5V, RL = 16ohm, CL = 15pF)
- P-SOP18-0812-1.27-001 package, operating temperature range from -40 to 85°C
Remarques
Please be careful about thermal conditions during use.
Spécifications techniques
Supply Voltage Min
4.5V
No. of Outputs
8Outputs
Output Current
-500mA
Product Range
-
Supply Voltage Max
50V
Output Voltage
50V
Driver Case Style
PSOP
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits