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TK100E10N1,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Through Hole
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| 10+ | 1,310 $ |
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| 500+ | 1,310 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK100E10N1,S1X(S
Code Commande72AK4430
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id207A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
207A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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