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TK14G65W,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Surface Mount
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708 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,690 $ |
| 10+ | 5,130 $ |
| 25+ | 4,800 $ |
| 50+ | 4,440 $ |
| 100+ | 3,990 $ |
| 250+ | 3,380 $ |
| 500+ | 3,270 $ |
| 1000+ | 3,130 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,69 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK14G65W,RQ(S
Code Commande72AK4449
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleD2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits