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TK16G60W,RVQ(S
MOSFET, N-CH, 600V, 15.8A, TO-263
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK16G60W,RVQ(S
Code Commande
Mise en bobine33AK9352
Bandes découpées33AK9352
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,490 $ |
| 10+ | 4,920 $ |
| 25+ | 4,520 $ |
| 50+ | 4,120 $ |
| 100+ | 3,690 $ |
| 250+ | 3,260 $ |
| 500+ | 3,030 $ |
| 1000+ | 2,910 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK16G60W,RVQ(S
Code Commande
Mise en bobine33AK9352
Bandes découpées33AK9352
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id15.8A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation130W
Power Dissipation Pd130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15.8A
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
130W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit