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TPH2900ENH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,830 $ |
| 10+ | 1,830 $ |
| 25+ | 1,830 $ |
| 50+ | 1,680 $ |
| 100+ | 1,680 $ |
| 250+ | 1,550 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
| 1000+ | 1,550 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH2900ENH,L1Q(M
Code Commande09AK8987
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit