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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,560 $ |
| 10+ | 2,260 $ |
| 25+ | 2,030 $ |
| 50+ | 1,820 $ |
| 100+ | 1,590 $ |
| 250+ | 1,360 $ |
| 500+ | 1,240 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH2R608NH,L1Q(M
Code Commande09AK8986
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id150A
On Resistance Rds(on)0.0021ohm
Drain Source On State Resistance2100µohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd142W
Power Dissipation142W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0021ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
142W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
142W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit