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TPH4R008NH1,LQ(M
MOSFET, N-CH, 80V, 116A, SOP
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,550 $ |
| 10+ | 2,190 $ |
| 25+ | 1,980 $ |
| 50+ | 1,800 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 250+ | 1,330 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,110 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH4R008NH1,LQ(M
Code Commande09AK8991
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance3300µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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