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TPH4R10ANL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,895 $ |
| 10+ | 0,895 $ |
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| 50+ | 0,895 $ |
| 100+ | 0,895 $ |
| 250+ | 0,895 $ |
| 500+ | 0,895 $ |
| 1000+ | 0,895 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH4R10ANL,L1Q(M
Code Commande09AK8992
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance3300µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd67W
Power Dissipation67W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
67W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
67W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit