Imprimer la page
TPH9R00CQ5,LQ(M1
MOSFET, N-CH, 150V, 64A, SOP
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH9R00CQ5,LQ(M1
Code Commande
Mise en bobine69AK9349
Bandes découpées69AK9349
Votre numéro de pièce
Fiche technique
5 752 En Stock
Vous en voulez davantage ?
1200 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
4552 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,790 $ |
| 10+ | 4,220 $ |
| 25+ | 3,800 $ |
| 50+ | 3,400 $ |
| 100+ | 2,960 $ |
| 250+ | 2,530 $ |
| 500+ | 2,310 $ |
| 1000+ | 2,200 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH9R00CQ5,LQ(M1
Code Commande
Mise en bobine69AK9349
Bandes découpées69AK9349
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance7300µohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation210W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits