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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R104PB,L1Q(O
Code Commande72AK4655
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
4 950 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,720 $ |
10+ | 4,150 $ |
25+ | 3,740 $ |
50+ | 3,340 $ |
100+ | 2,920 $ |
250+ | 2,510 $ |
500+ | 2,280 $ |
1000+ | 2,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,72 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R104PB,L1Q(O
Code Commande72AK4655
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance950µohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
950µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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