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TPW1R104PB,L1Q(W
MOSFET, N-CH, 40V/120A, WFDSOP ADVANCE M
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R104PB,L1Q(WCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande12AN0562
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,690 $ |
| 50+ | 4,130 $ |
| 100+ | 3,720 $ |
| 250+ | 3,330 $ |
| 500+ | 2,900 $ |
| 1000+ | 2,490 $ |
| 2500+ | 2,270 $ |
| 5000+ | 2,140 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,69 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW1R104PB,L1Q(WCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande12AN0562
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.00114ohm
Transistor Case StyleWFDSOP Advance M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
WFDSOP Advance M
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00114ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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