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TPW4R008NH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,360 $ |
| 10+ | 1,360 $ |
| 25+ | 1,360 $ |
| 50+ | 1,360 $ |
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| 250+ | 1,360 $ |
| 500+ | 1,360 $ |
| 1000+ | 1,360 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPW4R008NH,L1Q(M
Code Commande09AK9038
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance3300µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StyleDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Case Style
DSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit