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TW030N120C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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86 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 54,940 $ |
| 5+ | 52,920 $ |
| 10+ | 50,880 $ |
| 25+ | 48,810 $ |
| 60+ | 46,580 $ |
| 120+ | 45,920 $ |
| 270+ | 44,940 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
54,94 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW030N120C,S1F(S
Code Commande50AK7220
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation249W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
249W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits