Imprimer la page
TW048N65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.065 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
72 En Stock
Vous en voulez davantage ?
18 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
54 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,070 $ |
| 10+ | 15,070 $ |
| 25+ | 15,070 $ |
| 60+ | 15,070 $ |
| 120+ | 13,990 $ |
| 270+ | 13,070 $ |
| 510+ | 12,740 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
15,07 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW048N65C,S1F(S
Code Commande50AK7222
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation132W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
132W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit