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OP233
Infrared Emitter, 890 nm, 18 °, TO-46, 500 ns, 250 ns
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 4,290 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
4 290,00 $
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Informations produit
FabricantTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Réf. FabricantOP233
Code Commande08F2954
Fiche technique
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity18°
Diode Case StyleTO-46
Rise Time500ns
Fall Time tf250ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max2V
Operating Temperature Min-65°C
Operating Temperature Max125°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The OP233 is a gallium aluminium arsenide (GaAIAs) Infrared Emitting Diode, mounted in a hermetic metal housing. The gallium aluminium arsenide feature provides a higher radiated output than gallium arsenide at the same forward current. The device is lensed to provide a narrow beam angle (18°) between half power points. The 890nm wavelength closely matches the spectral response of silicon phototransistors. It is suitable for use in non‐contact reflective object sensor, assembly line automation, machine automation, machine safety, end of travel sensor, door sensor.
- Focused and non-focused optical light pattern
- Enhanced temperature range
- Mechanically and spectrally matched to other OPTEK devices
Spécifications techniques
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
TO-46
Fall Time tf
250ns
Forward Voltage VF Max
2V
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Angle of Half Intensity
18°
Rise Time
500ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-65°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit