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UF3C065030K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 85 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065030K4S
Code Commande47AK1747
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation441W
Power Dissipation Pd441W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
441W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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