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UF3C065040B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,410 $ |
| 10+ | 11,410 $ |
| 25+ | 11,410 $ |
| 50+ | 11,410 $ |
| 100+ | 11,410 $ |
| 250+ | 11,410 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065040B3
Code Commande47AK1749
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation176W
Power Dissipation Pd176W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
42mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
176W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
176W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits