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UF3C065040T3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 650 V, 42 mohm, TO-220
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,100 $ |
| 10+ | 15,990 $ |
| 25+ | 14,860 $ |
| 50+ | 13,850 $ |
| 100+ | 12,820 $ |
| 250+ | 11,810 $ |
| 500+ | 11,000 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065040T3S
Code Commande47AK1752
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation326W
Power Dissipation Pd326W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
42mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
326W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
54A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
326W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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