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UF3C120150B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,440 $ |
| 10+ | 6,440 $ |
| 25+ | 6,440 $ |
| 50+ | 6,440 $ |
| 100+ | 6,440 $ |
| 250+ | 6,440 $ |
| 500+ | 6,440 $ |
| 1600+ | 6,440 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C120150B7S
Code Commande78AK8896
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance150mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation136W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
150mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
136W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit