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UF3SC120040B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 32,090 $ |
| 10+ | 32,090 $ |
| 25+ | 29,800 $ |
| 50+ | 27,820 $ |
| 100+ | 26,400 $ |
| 250+ | 25,550 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3SC120040B7S
Code Commande78AK8902
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance35mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation214W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
35mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
214W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit
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