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UF4SC120030K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4SC120030K4S
Code Commande78AK8908
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
30mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
341W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit