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UJ3C065030K3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,510 $ |
| 5+ | 22,510 $ |
| 10+ | 20,910 $ |
| 25+ | 20,910 $ |
| 50+ | 19,510 $ |
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| 250+ | 17,210 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ3C065030K3S
Code Commande47AK1769
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.027ohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation441W
Power Dissipation Pd441W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
441W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit