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UJ3C120070K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ3C120070K4S
Code Commande78AK8909
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation254.2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34.5A
Drain Source On State Resistance
70mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
254.2W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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